Воскресенье
17.12.2017, 22:34
| RSS
Главная Оператива - Форум
[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
Страница 1 из 11
Форум » Hard and Soft » железо » Оператива
Оператива
Частота вашей оперативы(стандартная)
creatormasterДата: Среда, 08.04.2009, 18:59 | Сообщение # 1
Admin
Группа: Админ
Сообщений: 76
Награды: 2
Репутация: 100
Статус: Offline
FAQ - Frequently Asked Questions - Часто задаваемые вопросы и ответы на них.
Q - Question - Вопрос.
A - Answer - Ответ.

Q: Как можно изменить(выставить) тайминги памяти?
A: Тайминги памяти можно выставить в Bios Setup вашей материнской платы (обычно это раздел Chipset Features Setup или Advanced Bios Features и т.п.), при использовании материнских плат Gigabyte потребуется нажать комбинацию клавиш Ctrl+F1 в Bios Setup чтобы появились скрытые настройки памяти.
Также тайминги можно изменить с помощью специальных программ:

- A64Tweaker v.0.6, как понятно из названия, программа предназначена для платформы A64. Статья по программе.

- MemSet 3.4, данная утилита позволяет изменять тайминги памяти для наборов системной логики Intel 815 845 848 855 865 875 915 925 945 946 955 965, 975, Р35, X38, A64 platform, NVIDIA NForce2, NForce 650i & 680i, VIA KT266/333/400/600.

- RightMark Memory Analyzer v.3.72

- SysTool, поддерживаются i855/i848/i865/i875/i915/i925/i945/i955 and AMD64.

- Central Brain Identifier, поддерживаются только процессоры AMD.

Ещё одним почти экзотичным методом является изменение содержимого SPD. Этот метод используется крайне редко.

Q: Подскажите, если моя материнская плата поддерживает память максимум DDR2-667 PC5300, можно поставить память DDR2-800 PC6400?
A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если материнская плата поддерживает только PC5300(667МГц), то модуль памяти PC6400(800МГц) будет работать на максимально возможной частоте - PC5300(667МГц).

Q: Подскажите, если у меня стоит память DDR2-667 PC5300, можно ли добавить память DDR2-800 PC6400?

A: Можно. Модули PC6400(800МГц) обратно совместимы с более низкими частотами. Таким образом, если у вас стоит память PC5300(667МГц), то частота модуля памяти PC6400(800МГц) будет ограничена частотой, с которой работает другой установленный модуль, в рассматриваемом случае новый модуль PC6400(800МГц) будет работать как PC5300(667МГц).

Такой же принцип действует и в отношении других типов памяти и других частот. Т.е. результирующая частота будет ограничена частотой самого "медленного" модуля или же будет ограничена максимальной частотой, поддерживаемой материнской платой.

Q: Подскажите, если у меня стоит память PC6400 с таймингами 5-5-5-15, какие тайминги будут, если я добавлю ещё модуль PC6400 4-4-4-12?
A: При использовании памяти с разными таймингами на одной частоте, тайминги будут устанавливаться по самому "медленному" модулю, т.е. в данном случае это будут 5-5-5-15.

Q: Что такое SPD?
A: Специализированная микросхема «последовательного обнаружения присутствия» (Serial Presence Detect, SPD), располагается на PCB модуля памяти. Данная микросхема содержит данные о производителе, типе памяти, конфигурации модуля и его основных параметрах, а также таймингах. Информация SPD считывается системой BIOS во время загрузки компьютера и используется для выставления начальной конфигурации.

Более подробно:
SPD: схема последовательного детектирования

Serial Presence Detects for DDR SDRAM (Revision 1.0)
Serial Presence Detects for DDR2 SDRAM (Revision 1.3)

Q: Что такое EPP?
Q: Что такое SLI-Ready Memory?
A: Расширение стандарта JEDEC SPD путем внесения дополнительной информации в SPD модулей памяти. Это могут быть значения таймингов, напряжение. Информация вносится в виде специальных профилей EPP, а память, в SPD которой прошиты эти профили, называется SLI-Ready Memory. Целью внедрения EPP являлось упрощение настройки и разгона памяти. Такую память официально поддерживают материнские платы, основанные на "старших" версиях чипсетов NVIDIA: nForce 590 SLI, 680i SLI, 680i LT SLI, 780i SLI и т.д.
Для памяти типа DDR3 применяется EPP2.0. Поддержка осуществлена в новейших чипсетах Nvidia: 790i SLI, 790i Ultra SLI.

Более подробно:
Технология Enhanced Performance Profiles для модулей памяти
Design Specification DDR2 UDIMM EPP.

Q: Что такое XMP?
A: Аналог EPP, разработанный компаний Intel для памяти типа DDR3. Интересным отличием лишь является поддержка управления параметрами памяти из среды Windows с помощью утилиты Intel Extreme Tuning Utility. Такую память официально поддерживают только новейшие чипсеты intel: X38, X48 и др.

Q: Как протестировать оперативную память на предмет ошибок?
A: Для этого можно воспользоваться специальными программами диагностики. Одной из лучших программ для тестирования оперативной памяти(ОП) является Memtest86+ ( Memtest86+ v2.11 Версия для создания загрузочного CD). Перед использованием программы создайте загрузочный CD с помощью указанного образа, затем загрузите компьютер с этого диска, при этом программа запустится автоматически и начнется проверка ОП. Чем больше циклов проверки будет сделано, тем надежнее будут результаты теста, при обнаружении даже одной ошибки проверяемую ОП можно считать не прошедшей тестирование. Для большей уверенности следует проводить тестирование в течение нескольких часов, а в исключительных случаях может потребоваться более суток.

Следует заметить, что проверяется лишь текущая конфигурация памяти при текущих настройках. Например, случае использования оверклокерской памяти, требующей повышенного напряжения питания, обычно необходимо вручную выставлять это значение напряжения. Если этого не сделать, программы диагностики будут выдавать ошибки даже в случае, если память исправна.

На сайте www.memtest.org можно найти другие версии, в том числе для создания загрузочной дискеты или для запуска с flash.
Кроме Memtest86+, можно воспользоваться программами TestMem4, Windows Memory Diagnostic или же проверить память в среде Windows с помощью S&M или RightMark Memory Analyzer.

О порядке диагностики можно ознакомится в статье Диагностика возможных проблем с модулями памяти, а о работе некоторых утилит тестирования можно прочитать в материале Средства проверки системной памяти.

Также неплохую подборку программ для тестирования памяти можно найти на сайте www.benchmarkhq.ru.

Q: Прошу объяснить, на что указывают эти обозначения: PC3200, 400MHz, CL3, ECC и т.д.

A:
PC3200 - число после PC показывает теоретическую пропускную способность памяти в МБайт/сек (в случае PC66, PC100, PC133 - реальную частоту шины памяти).
400MHz - эффективная частота работы памяти.
PC2-3200 - здесь цифра 2 после PC указывает лишь на то, что это DDR2.
DDR400 - число 400 указывает на значение эффективной частоты.
CL4 - число 4 указывает значение тайминга CL.
2.1V - указано значение питающего напряжения. Обычно оно указывается для оверклокерской памяти и его необходимо выставить вручную.
Unbuffered = UDIMM = U - обычный (не регистровый) модуль, предназначен для установки в "десктопные" системы, ноутбуки и т.п.
Non-ECC - модуль без ECC.
240-pin - показывает число выводов(контактов) модуля.
Original - означает, что модуль изготовлен самим производителем микросхем памяти. Иначе говоря, если для модулей Samsung или Hynix не указано Original, то это означает, что модуль изготовлен сторонней компанией, но с использованием микросхем Samsung или Hynix соответственно.
SODIMM - память для ноутбуков (Small Outline Dual Inline Memory Module).
5-5-5-15 - указаны основные тайминги памяти: CL, tRCD, tRP, tRAS.
64Mx8 - организация памяти, указывает на плотность (64M) и разрядность микросхем (8).
2Rx8 - указывает на число ранков (2) и разрядность микросхем (8).
Assy in China - модуль собран в Китае (assy - сокращение от assembly).
BOX - модуль(и) поставляются в "коробочке"(упаковке).
KIT - набор модулей (обычно из двух).
KIT of 2 = matched pair = Dual Ch- набор из двух модулей для работы в режиме Dual Channel.
(with) Heat Spreader - на модуль(и) установлены радиаторы(теплорассеиватели).
Hand-picked (chips) - память со специально отобранными микросхемами с высоким разгонным потенциалом.
6 Layers - модуль изготовлен на шестислойной PCB (печатной плате).
LL - Low Latency - память с низкими таймингами.
EL - может означать как Enhanced Latency (аналог LL), так и Eased Latency (память с обычными таймингами, термин используется у памяти Patriot)
RoHS - память соответствует директиве RoHS, ограничивающей содержание вредных веществ (свинец, кадмий и пр.).
EPP - память с поддержкой профилей EPP.
XMP - память с поддержкой профилей Intel XMP.

Параметры, относящиеся к т.н. серверной памяти:

ECC - модуль оснащен микросхемой(ами) ECC.
Reg = Registered = RDIMM - регистровый модуль (широко распространенный серверный тип памяти).
PLL - модуль оснащен микросхемой PLL (Phase Locked Loop), предназначенной для автоматической подстройки частоты.
LP = Low Profile - низкопрофильные (малой высоты) модули.
VLP = Very Low Profile - низкопрофильные (малой высоты) модули.
Single Rank - одноранговый(одноранковый) модуль.
Dual Rank - двухранговый(двухранковый) модуль.
Fully Buffered = FB-DIMM - относительно новый серверный тип памяти. Основное отличие от DDRII SDRAM Registered DIMM заключается в использовании контроллера AMB (Advanced Memory Buffer), расположенного на модуле памяти и соединенного с чипсетом.

Q: Какую память выбрать для установки на материнскую плату ####?
A: Прежде всего надо изучить руководство к мат.плате(обычно pdf версия есть и на сайте производителя). Здесь оговаривается тип поддерживаемой памяти, ограничения на объем, организацию и т.п.
Кроме того, здесь можно найти и так называемый QVL (Qualified Vendors List) - список протестированных модулей памяти, работа которых была проверена на данной модели материнской платы. Расширенный его список можно обнаружить на сайте производителя мат. платы (обычно в pdf формате).
Некоторые производители памяти (например, Micron) выкладывают информацию о проверенной совместимости их модулей с некоторыми мат. платами. Другие же (например, Kingston) предоставляют на своих сайтах специальные конфигураторы, с помощью которых можно подобрать память, совместимую с указанной мат. платой.
Существуют и независимые тест-группы, например CMTlabs - здесь можно найти таблицы совместимости модулей памяти с различными мат. платами Intel (остальная информации менее актуальна).

Q: Что необходимо изменить в BIOS Setup при установке памяти?
A: Как правило, ничего. Подавляющее большинство компьютеров распознает и конфигурирует установленную память автоматически.
Иногда может потребоваться сменить параметры на значения, которые заявлены производителем модулей памяти: напряжение, тайминги, частота, и которые отличаются от стандартных, автоматически выставляемых материнской платой.

Часто встречаются случаи, когда люди покупают оверклокерскую и т.п. память с нестандартными параметрами, совершенно не подозревая о том, что купленную память требуется ещё и конфигурировать. В этих случаях можно зайти на сайт производителя, найти спецификации купленной памяти и выставить все параметры согласно этим спецификациям. Если же самостоятельная настройка невозможна в силу недостаточной технической грамотности покупателя или ограничений Bios, настройку придётся поручить специалистам либо же купленную память придётся вернуть.

В случае смены или установки дополнительной памяти может потребоваться перевести параметры в изначальное(default) состояние: by SPD, Auto, или просто "сбросить" BIOS. Это связано с тем, что для предыдущей или уже установленной памяти могли быть выставлены параметры, не подходящие для новой, что способно привести к сбоям в работе.

Q: Что такое тайминги?
A: Тайминги - это задержки, возникающие при операциях доступа к содержимому памяти. Подобные задержки также ещё называют латентностью.

Ниже приводятся наиболее часто упоминаемые тайминги:

CAS Latency (tCL, CL) - число циклов тактового сигнала между командой на чтение и началом считывания (меньше-лучше);
RAS to CAS Delay (tRCD, Trcd, RCD) - интервал в циклах тактового сигнала между сигналом RAS# (Row Address Strobe) и сигналом CAS# (Column Address Strobe), необходимый по причине задержки после подачи сигнала RAS# на активацию строки или это интервал между командой активации и командой чтения/записи (меньше-лучше);
Row Precharge Time (tRP, RAS Precharge Time, Trp, RP) - время, необходимое на закрытие строки банка памяти или минимальное время между закрытием строки и активацией новой строки (в циклах тактового сигнала) (меньше-лучше);
Active to Precharge Delay (tRAS, Min RAS Active Time, Precharge Wait State, Row Active Delay, Tras) - параметр определяет минимальное время активности строки (в циклах тактового сигнала) от момента её активации до её закрытия - подачи сигнала предварительного заряда банка (Precharge) (обычно меньше-лучше);

Диаграмму таймингов можно увидеть на следующем рисунке.

Вышеприведённые тайминги часто указывают вместе в виде CL-tRCD-tRP-tRAS. Например, 3-3-3-8.
Иногда можно встретить иную запись, например 3-3-3-8 1T. Здесь последним указан Command Rate.

Command Rate ( CR, CMD Rate, 1T/2T) – время, необходимое на распознавание команд и адресов. При значении 1T потребуется 1 цикл(clock cycle), при 2T – 2 цикла.
Использование значения 2T позволяет использовать различные комбинации модулей на более высоких частотах. Значение 1T повышает производительность подсистемы памяти, но снижается стабильность системы, а также её разгонный потенциал.
Контроллер процессоров A64 позволяет выставлять 1T начиная с ревизии CG. Но при использовании нескольких модулей в большинстве случаев частота их работы будет снижена.
В частности, при использовании процессоров A64 ревизии E (socket 939) и четырёх односторонних модулей DDR400 при использовании 1T, частота их будет снижена до 333МГц, при использовании хотя бы одного двухстороннего модуля среди четырёх, частота их будет снижена до 200МГц. В рассматриваемом примере при 2T добиться работы модулей на полной частоте можно лишь при использовании двухсторонних модулей в разных каналах или использовании только односторонних модулей.
Для последних процессоров Intel возможность выставить 1T существует лишь при использовании чипсетов nForce или AMD RD600, в чипсетах Intel такая возможность появилась лишь с выходом чипсетов Intel 3 Series.

Q: Чем оверклокерская память отличается от обычной, каковы ее особенности?
А: Для такой памяти характерны следующие свойства (одно или оба):

-- указана частота, превышающая стандартную для данного типа памяти. Например, указано DDR PC4000, тогда как согласно стандартам максимумом для DDR является PC3200. В этом случае это значит, что при разгоне производитель гарантирует работу этой памяти на указанной частоте с сохранением заявленных таймингов.
-- для памяти заявлены низкие тайминги. При этом необходимо учитывать, что, как правило, в SPD указываются более высокие их значения. Данная мера направлена на увеличение совместимости с различными системами. Соответственно, придется выставить заявленные значения таймингов вручную.

Кроме того, для такой памяти часто характерны улучшенный дизайн PCB, необходимость повышенного напряжения питания, отбор чипов ("hand-picked"), тестирование каждого экземпляра, использование теплорассеивателей, пожизненная гарантия производителя и др.
Многие производители оперативной памяти выпускают соответствующие серии: Kingston HyperX, OCZ Premium/Gold/Titanium series, Corsair XMS/XMS2 и др.

Q: Что такое Value память?
A: Как правило, производители оперативной памяти выпускают несколько серий продукции. Наряду с достаточно дорогой памятью "для оверклокеров и энтузиастов", существуют и серии недорогой памяти, которую часто называют Value памятью. У разных производителей серии именуются по-разному: Mushkin Value Memory, Geil Value Series, Corsair Value Select, Kingston ValueRam. Как заявляют сами производители, данные серии "являются отличным сочетанием качества и цены" ("is the perfect mix of Quality and Value").
Понятие Value памяти (часто употребляют "Value Ram" по аналогии с популярной Kingston ValueRam) постепенно перенесли на всю недорогую память. Например, Patriot выпускает соответствующую серию Signature line, но это не мешает называть ее Value памятью.
Такая память не часто отличается хорошим разгонным потенциалом и низкими таймингами. Это обычная память для установки в офисные и простые домашние компьютеры, хотя и серверы не исключение.
Примечание: Слово Value не переводится как "бюджетный", такую память лишь называют бюджетной.

Q: Что такое односторонний/двухсторонний модуль (Single Sided, Double Sided)?
A: Если микросхемы на модуле смонтированы только с одной стороны PCB (печатной платы), то модуль односторонний, если с двух – двухсторонний.

Q: Что такое банки памяти?
A: Существуют физические банки и логические банки:

1. Ширина шины данных простых модулей составляет 64 бита. Обычно используются микросхемы разрядностью 4, 8 или 16 бит. Таким образом, для получения общей разрядности 64 бита, потребуется набор из 16, 8 или 4 микросхем соответственно. Каждый такой набор микросхем объединяется в физический банк. В одном модуле может быть размещено несколько физических банков. В случае простых (unbuffered) модулей каждая сторона модуля с микросхемами соответствует одному физическому банку, т.е. понятия однобанковый/двухбанковый модуль соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль.
При использовании модулей с ECC разрядность шины данных будет 72 бита, дополнительные 8 бит потребуются для реализации упомянутой ЕСС.

2. Логические банки организованы внутри микросхем памяти, т.е. осуществляется разбиение массива данных. Для различных типов памяти число банков строго оговаривается в спецификациях.
В частности, для DDR число банков составляет 4. Микросхемы DDR2 содержат по 4 логических банка при плотности чипов 256Mb и 512Mb и 8 банков при плотности чипов 1Gb и выше.

Q: Что такое Rank?
A: Ранг (ранк) - это физический банк модуля памяти. В отношении простых (unbuffered) модулей понятия одноранговый/двухранговый или Single Rank/Double Rank соответствуют понятиям односторонний/двухсторонний модуль. В отношении регистровых модулей данное правило не действует. Например, двухстороннее расположение микросхем на модуле может соответствовать одно-, двух-, или четырехранговой схеме.

Q: Как выставляется напряжение на память?
A: Здесь может быть несколько вариантов:

-- автоматически по данным SPD выставляется стандартное напряжение для соответствующего типа памяти: SDR SDRAM - 3.3В (5В), DDR SDRAM - 2.5В, DDR2 SDRAM - 1.8В, DDR3 SDRAM - 1.5B;
-- вручную в BIOS Setup или с помощью специальных программ в Windows;
-- автоматически материнской платой при повышенной частоте памяти. Например, установлен модуль DDR400(200MHz), напряжение в BIOS стоит Auto, а частота вручную выставлена выше номинальной - 233MHz(DDR466). Тогда мат. плата может сама увеличить значение напряжения с 2.5В до 2.7В;
-- автоматически при задействовании EPP или XMP по данным выбранного профиля, обычно напряжение выставляется выше стандартного;
-- при использовании вольтмода схемы питания памяти;

Q: Как можно посмотреть информацию об установленной памяти: производителе, текущих таймингах/частоте, данных SPD и пр.?

A: Для этого можно воспользоваться программами: CPU-Z, Everest, RightMark Memory Analyzer и др. Для получения более подробной информации из SPD можно использовать Thaiphoon Viewer.

Q: На моей материнской плате есть слоты под память двух разных типов, можно ли использовать их одновременно?

A: Нет, в современных материнских платах не предусмотрена такая возможность.

Q: Что из себя представляет двухканальный режим работы памяти (Dual Channel mode)?
A: Это режим, позволяющий заметно увеличить пропускную способность памяти, и, как следствие, общую производительность системы. Для этого требуется как минимум 2 модуля памяти и соответствующая поддержка со стороны контроллера памяти (чипсета). Этот режим ещё называют 128 битным (128-bit mode, 128-bit interface), т.к. два канала работают в спаренном режиме (64+64).

Q: Что нужно сделать, чтобы заработал Dual Channel?
A: Если ваша система (материнская плата/процессор) имеет поддержку данного режима, то для этого потребуется лишь установить модули памяти в необходимом порядке. Схему установки модулей памяти можно найти в руководстве к материнской плате.
В большинстве случаев одинаковые модули, составляющие пару, устанавливаются в слоты на мат. плате, соответствующие разным каналам. Исключением могут быть случаи, когда используются чипсеты Intel с поддержкой Flex Memory Technology или чипсет nForce2 Ultra 400. При их использовании главным требованием для активирования двухканального режима является одинаковый "объем" памяти на канал, т.е. наряду с использованием пар одинаковых модулей, возможно использование и трёх модулей. Например, 256МБ+256МБ и 512МБ.
Следует упомянуть, что обычно требуется использовать модули, составляющие пару, с одинаковой плотностью чипов, объёмом (частным случаем является правило использования или односторонних или двухсторонних модулей), а также желательно, но не требуется, использовать модули с одинаковой частотой, схемой таймингов. Конкретные требования исходят от использования того или иного контроллера памяти, входящего в состав чипсета (процессора).

Q: Как узнать, что задействован режим Dual Channel?
A: Об этом можно узнать уже на стадии включения компьютера - во время вывода информации о процессоре, памяти и т.д. можно увидеть надпись, указывающую на активность данного режима, например, "Memory Runs at Dual Channel", "Dual Channel Enabled", "Dual Channel Interleaved". Узнать, работает ли Dual Channel можно и в среде Windows, для этого потребуется лишь воспользоваться программами, предоставляющими информацию об установленной памяти (см. соответствующий вопрос). К примеру, в программе CPU-Z на закладке Memory в поле Channels указывает текущий режим.

Q: Какой прирост производительности даёт Dual Channel?
A: Пока что все тесты, проводимые мной, показывали малый прирост (до 5%) от использования Dual Channel как на платформе Intel Core2, так и на AMD Athlon64 X2 (на платформе AMD немного выше).
Прирост от Dual Channel Asymmetric составляет ещё меньшие значения по сравнению с Dual Channel Interleaved и не превышает 2.5%.
Даже при использовании встроенной видеокарты прирост от Dual Channel минимален.
Примечание: Everest и т.п. синтетические тесты, не отражающие прирост в реальных приложениях, не используются.
Согласно обзору на THG, прирост производительности от Dual Channel на современной платформе Core 2 Duo составляет 1-3% процента.

A: Данная технология расширяет возможности "классического" двухканального режима, позволяя использовать более гибкие конфигурации памяти и сохраняя высокий уровень быстродействия. Технология Flex Memory используется в чипсетах Intel, начиная с серии 9хх.

Кроме Single Channel Mode, современные чипсеты Intel при использовании Flex Memory Technology позволяют использовать еще ряд режимов:

-- Dual Channel Interleaved (Symmetric) Mode. В данном режиме достигается максимальная производительность. Для его активации требуется лишь равенство "объемов" памяти в разных каналах, т.е. возможно использование и трех модулей памяти. Например, 512MB и 512MB или 256MB+256MB и 512MB.

-- Dual Channel Asymmetric Mode (Stacked). От предыдущего этот режим отличается тем, что здесь нет требования равного "объёма" памяти на канал. Но в большинстве случаев пропускная способность памяти в этом режиме соответствует Single Channel mode.

-- Flex Mode (L-shaped). Данный режим может быть задействован при использовании чипсетов 946/965-го семейства или более новых серий при неравномерном заполнении каналов. При этом он является своеобразной смесью режимов: совпадающие объёмы памяти в обоих каналах будут работать в симметричном двухканальном режиме, а остальная часть памяти одного из каналов будет работать в одноканальном режиме.

FAQ по таймингам.

Помимо упомянутых выше Keper таймингов, называемых также основными, есть другие второстепенные, называемые также подтаймингами. Они оказывают обычно меньшее влияние. Но благодаря настройке некоторых из них вы можете выжать порой значительное количество дополнительных мегагерц, либо повысить скорость, снизив их.

Trc, Row Cycle Time, Activate to Activate/Refresh Time, Active to Active/Auto Refresh Time – минимальное время между активацией строк одного банка. Является комбинацией таймингов Tras+Trp – минимального времени активности строки и времени её закрытия (после чего можно открывать новую).

Trfc, Row Refresh Cycle Time, Auto Refresh Row Cycle Time, Refresh to Activate/Refresh Command Period, – минимальное время между командой на обновление строки и командой активизации, либо другой командой обновления.

Trrd, ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command, RAS to RAS Delay, Row Active to Row Active – минимальное время между активацией строк разных банков. Архитектурно открывать строку в другом банке можно сразу за открытием строки в первом банке. Ограничение же чисто электрическое – на активацию уходит много энергии, а потому при частых активациях строк очень высока электрическая нагрузка на цепи. Чтобы её снизить, была введена данная задержка. Используется для реализации функции чередования доступа к памяти (interleaving).

http://images.people.overclockers.ru/113976.png

WR, Write Recovery, Write to Precharge – минимальное время между окончанием операции записи и подачей команды на предзаряд (Precharge) строки для одного банка.

http://images.people.overclockers.ru/113977.png

WTR, Trd_wr, Write To Read – минимальное время между окончанием записи и подачей команды на чтение (CAS#) в одном ранке.

RTW, Read To Write – минимальное время между окончанием операции чтения и подачей команды на запись, в одном ранке.

http://images.people.overclockers.ru/113979.png

Trtp, Read to Precharge – минимальный интервал между подачей команды на чтение до команды на предварительный заряд.

WL, Write Latency – задержка между подачей команды на запись и сигналом DQS. Аналог CL, но для записи.

Tdal, цитата из JEDEC 79-2C, p.74: auto precharge write recovery + precharge time (Twr+Trp).

Max Async Latency – максимальное время асинхронной задержки. Параметр управляет длительностью асинхронной задержки, зависящей от времени, необходимого для передачи сигнала от контроллера памяти до самого дальнего модуля памяти и обратно. Опция существует в процессорах фирмы AMD (Athlon\Opteron).

DRAM Read Latch Delay – задержка, устанавливающая время, необходимое для “запирания” (однозначного распознавания) конкретного устройства. Актуально при повышении нагрузки (числа устройств) на контроллер памяти.

Trpre, Read preamble – время, в течение которого контроллер памяти откладывает активацию приёма данных перед чтением, во избежание повреждения данных.

Read\write Queue Bypass – определяет число раз, которое самый ранний запрос в очереди может быть обойден контроллером памяти, прежде чем быть выполненным.

Bypass Max – определяет, сколько раз самая ранняя запись в DCQ может быть обойдена, прежде чем выбор арбитра будет аннулирован. При установке в 0 выбор арбитра всегда учитывается.

SDRAM MA Wait State, Read Wait State установка 0—2-тактного опережения адресной информации перед подачей сигнала CS#.

Turn-Around Insertion – задержка между циклами. Добавляет задержку в такт между двумя последовательными операциями чтения/записи.

DRAM R/W Leadoff Timing, rd/wr command delay – задержка перед выполнением команды чтения/записи. Обычно составляет 8/7 или 7/5 тактов соответственно. Время от подачи команды до активации банка.

Speculative Leadoff, SDRAM Speculative Read. Обычно в память поступает сначала адрес, затем команда на чтение. Поскольку на расшифровку адреса уходит относительно много времени, можно применить упреждающий старт, подав адрес и команду подряд, без задержки, что повысит эффективность использования шины и снизит простои.

Q: В руководстве к моей мат.плате ASUS указано:
Цитата:
Эта материнская плата не поддерживает модули памяти объемом 128Мб, так же как и 2х-сторонние 16х-чиповые модули памяти.

Разве на этой плате не будут работать двухсторонние модули?

A: В данном случае мы имеем дело с неверным переводом.
На английском языке данное предложение имеет вид:
Цитата:
This motherboard does not support memory modules made up of 128Mb chips or double sided x16 memory modules.

Это можно перевести как: "Эта материнская плата не поддерживает модули памяти, изготовленные с использованием 128 мегабитных микросхем или двухсторонние модули с 16 разрядными микросхемами."
Второе ограничение означает, что нет поддержки двухсторонних модулей с 8 микросхемами разрядности x16 - по 4 с каждой стороны.
Таким образом, контроллер памяти чипсетов(процессоров), устанавливаемых на этих платах, не поддерживает лишь редкие модули. К распространённым в продаже модулям памяти данные ограничения отношения не имеют.

Q: Есть ли физическая разница между модулями DDR2 и DDR3?

A: Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК обладают 240-контактной структурой, привычной нам по модулям DDR2; однако физической совместимости нет благодаря различному расположению ключей DIMM. Такая "защита от дурака", предотвращающая установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрена не только по причине поконтактной несовместимости модулей, но и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативной памяти.

По материалам 3dnews.

Q: Можно ли установить DDR2 вместо DDR (материнская плата поддерживает только DDR)? Совместимы ли эти типы памяти?

A: Стандарты DDR и DDR2 несовместимы между собой как механически, так и электрически. Установить память типа DDR2 в материнскую плату с поддержкой лишь DDR нельзя.

Q: Каково стандартное напряжение для памяти?
A:
Для памяти DDR:
2.5V ±0.2V для DDR 200, 266, или 333
2.6V ±0.1V для DDR 400
Для памяти DDR2: 1.8V ±0.1V
Для памяти DDR3: 1.5V (1.35V) ±0.075V

Примечание: в связи с тем, что для DDR SDRAM в SPD содержится лишь одно значение напряжения 2.5В, для DDR400 автоматически выставляется именно оно вместо "среднего" 2.6В.

Q: Каковы стандартные значения тайминга CL для памяти?
A:
Для памяти DDR: 1.5, 2, 2.5, 3;
Для памяти DDR2: 3, 4, 5, 6, 7;
Для памяти DDR3: 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11;

Примечание: Для DDR2 и DDR3 значения CL не могут принимать дробных значений.

Q: Каковы стандартные значения частот для памяти?
A:
Для памяти DDR: 200МГц, 266МГц, 333МГц, 400МГц;
Для памяти DDR2: 400МГц, 533МГц, 667МГц, 800МГц, 1066МГц;
Для памяти DDR3: 800МГц, 1066МГц, 1333МГц, 1600МГц;

Примечание: указаны значения эффективных частот.

Q: Какова допустимая температура памяти?
A: Существуют два диапазона температур:

Рабочая температура (Operating Temperature) - это диапазон температур, при котором память должна работать нормально:
от 0 до +70 °C для DDR
от 0 до +85 °C для DDR2 и DDR3
от 0 до +95 °C для DDR2 и DDR3 при определённых условиях (Extended Temperature Range)

Температура хранения (Storage Temperature) - это диапазон температур, при котором память можно хранить:
от -55 до +125 °C для DDR
от -55 до +100 °C для DDR2 и DDR3

Примечание: возможны и другие значения температур, их можно узнать из спецификаций на конкретные модели модулей памяти.

А: Все зависит от того, для чего именно вам нужно. Если вы будете использовать память в дефолте, то берите память на любых чипах.
Если для разгона, то тогда у вас есть несколько вариантов:
Лидерами разгона являются чипы Micron ревизии D, самый сильный разгон демонстрирует Micron D9GMH (BH6-3).
Главная особенность данной памяти состоит в том, что чем выше подаваемое напряжение, тем выше будет ваш разгон. Безопасно подаваемое напряжение на данные чипы 2.2-2.3V, для непродолжительных тестов 2.4-2.5V с хорошим охлаждением чипов памяти. Экстремальные оверклокеры ставят на данные чипы 3.0V и выше, но на постоянный режим ставить такое напряжение не рекомендую, т.к. происходит деградация чипов памяти.
Есть случаи разгон Micron D9GMH выше 1400 Мгц, и люди, которые смогли достичь таких результатов записываются в так называемый 700 Mhz Club.
Рекомендую к прочтению Обсуждение памяти на чипах Micron (DDRII) + mini FAQ
Также очень распространены чипы памяти ProMos (Mosel Vitelic).
Есть две ревизии данной памяти A и B.
Разгон ревизии B составляет около 1150-1200 Мгц DDR, результаты разгона ревизии A, в большинстве случаев 950-1000 Мгц DDR при напряжении 2.2V (при 2.3V часто происходит нестабильность и понижение разгонного потенциала)

На бюджетные модули памяти часто ставят чипы Elpida. Примерный разгон около 1000 Мгц на 2.2V.

В среднем сегменте большой популярностью пользуются чипы PSC (Powerchip).
Примерный разгон 950-1050 Мгц на 2.2V и 1150 на 2.3V (но это редко).

Не рекомендую брать память на чипах Samsung и Qimonda (Infineon), на напряжение выше 2.0V в большинстве случаев не реагирует, примерный разгон около 950 Мгц.

Однако еще распространены и чипы Hynix. Что-либо конкретное сказать трудно, ведь кто-то добивается всего лишь 920-960 Мгц при 2.0V, дальнейшее повышение напряжения приводит к спаду разгонного потенциала и деградации чипов, некоторые «выжимают» по 1150 Мгц на 2.4V.
Есть случаи когда "выжимали" и 1374 Мгц на 2.45V, но это большая редкость.
Кстати вот обзор, где и "выжали" эти 1374 МГц.
Мое мнение такое: все зависит от партии, используемой PCB (недостаточно качественная PCB ограничивает результаты разгона при поднятии напряжения), а также от удачи Smile.


 
Форум » Hard and Soft » железо » Оператива
Страница 1 из 11
Поиск:


Copyright MyCorp © 2017
Сайт управляется системой uCoz