Третий по величине мировой производитель памяти, компания Elpida представила прототип резистивной памяти. Устройство не имеет аналогов и обладает целой массой преимуществ перед емкостной памятью, используемой повсеместно, сочетая скорость DRAM и энергонезависимость NAND.

Полное название новинки – «Высокоскоростная энергонезависимая резистивная память с произвольным доступом» (ReRAM). Память выполнена по 50-нанометровому техпроцессу, а плотность ячеек здесь составляет 64 Мбит на массив. В разработке, помимо Elpida, приняли участие Sharp, Университет Токио и Японский национальный научно-технологический институт.

Резистивную память многие считают новым витком развития вычислительной техники. Суть технологии состоит в использовании особого материала, который изменяет свое электрическое сопротивление под воздействием изменения напряжения. В отличие от DRAM, где каждая ячейка представляет собой конденсатор и требует частой перезарядки, здесь информация способна храниться вне зависимости от источника энергии. Скорость записи представленного прототипа ReRAM составляет 10 нс, что примерно равно скорости записи DRAM.

Компания не только продолжит исследования в этом направлении, но и планирует наладить серийный выпуск к 2013 году, но уже по 30-нанометровому техпроцессу.