Четверг
21.09.2017, 02:34
Creatormaster.ru
Приветствую Вас Приблуда | RSS
Главная Регистрация Вход
Меню сайта

Разделы новостей
Soft [114]
различные проги
Железо [678]
Железные новости
Games [69]
Фильмы [15]
Из истории IT [17]
HT [5854]
Научные открытия и др.
Другое [417]
Кулеры [39]
Материнские платы [15]
мониторы [9]

Мини-чат


Вот уж не думал, что я куплю 7970)




I'm newbie and a new user in this forum, but I hope to help and be helped by others. :)

Отличная статья, мне нравится достойног.



вы видете графика в 3 ресунке как в халфе но там на ящике лагатип из игры портол а это значит халфа и портал друзья как говориться просто сртоят всё во одном

Главная » 2016 » Декабрь » 24 » Micron начала производство памяти 3D NAND второго поколения
Micron начала производство памяти 3D NAND второго поколения
01:48

Micron Technology объявила о том, что начала производство многослойной памяти типа 3D NAND второго поколения в фабричном комплексе Fab 10X в Сингапуре. Новый тип памяти позволит Micron укрепить позиции на рынке твердотельных накопителей, а также несколько снизить себестоимость энергонезависимой памяти. Помимо прочего, выпуск второго поколения 3D NAND приведёт к увеличению ёмкости накопителей Micron, Crucial, а также их партнёров.

Штаб-квартира Micron

Штаб-квартира Micron

Новые вызовы

В ходе встречи и телеконференции с инвесторами и финансовыми аналитиками в этом месяце Micron подтвердила, что начала массовое изготовление 3D NAND флеш-памяти с 64 слоями в производственном комплексе Fab 10X в Сингапуре в четвёртом квартале этого календарного года, что соответствует заявленным ранее срокам. Сам по себе анонс означает как введение в строй новой фабрики, так и грядущее существенное увеличение производства NAND флеш-памяти компанией Micron: как за счёт увеличения количества обрабатываемых кремниевых пластин с соответствующими микросхемами, так и за счёт увеличения ёмкости последних. Кроме того, сам анонс массового производства энергонезависимой памяти с 64 активными слоями является знаменательным, поскольку означает, что компании удалось решить ряд технических проблем, которые возникают при создании 3D NAND c 60 ~ 70 слоями.

3D NAND разработки Micron/IMFT второго поколения: планы по снижению себестоимости

3D NAND разработки Micron/IMFT второго поколения: планы по снижению себестоимости

Эр-Сюань Пин (Er-Xuan Ping), управляющий директор подразделения памяти и технологий в Silicon Systems Group компании Applied Materials, считает, что сегодняшние технологии травления (high aspect ratio etch) отверстий в огромном количество слоёв (которые отвечают за линии чисел — word lines), чтобы затем создать линии разрядов (bit line, в терминологии 3D NAND — NAND string), имеют ряд ограничений. Эти ограничения не позволяют травить отверстия в случае, когда количество слоёв превышает 60 ~ 70. Таким образом, для создания 3D NAND с 64 активными слоями предполагается применять технологию вертикального стекирования линий разрядов (string stacking). По сути, это означает установку готовых 3D NAND-изделий друг на друга с последующим межчиповым соединением, что позволит контроллеру «видеть» два устройства как одну микросхему и управлять ею соответствующим образом. Подобное объединение представляет собой чрезвычайно сложный процесс, поскольку пластины с микросхемами должны быть идеально выровнены. Преимущества подобного процесса также очевидны: он позволяет создавать NAND-сборки с сотнями слоёв и колоссальной ёмкостью.

«Это ограничение», — сказал господин Пин. «Каждая линия разрядов ограничена количеством слоёв или другими шагами технологического процесса».

Микросхемы NAND флеш-памяти в чистой комнате фабрики IMFT

Микросхемы NAND флеш-памяти в чистой комнате фабрики IMFT

Micron не единственная компания, которая объявила о массовом производстве микросхем NAND флеш-памяти с 64 слоями. Samsung и Toshiba/Western Digital также разработали свои 64-слойные устройства. Примечательно, что ни одна из трёх компаний не упомянула о string stacking в своих анонсах соответствующих микросхем. В отрасли ходят слухи, что Micron демонстрировала 64-слойный 3D NAND чип с соединёнными линиями разрядов некоторым своим партнёрам, но официально компания про это никогда не говорила. Очень может быть, что Micron и её конкуренты нашли способ травления глубоких отверстий с использованием существующего оборудования или просто решили не упоминать особенности производства в своих официальных документах.

Новые перспективы

Надо сказать, что 64-слойное поколение 3D NAND флеш-памяти станет не только существенным испытанием с точки зрения производства, но и во многом откроет новые горизонты. Дело в том, что ёмкость таких микросхем обещает быть очень высокой, причём планы Micron (и IMFT) здесь наиболее амбициозны (компания имеет большую гибкость в области увеличения ёмкости микросхем благодаря размещению логическим цепей микросхем под самой памятью, что экономит площадь ядра): каждая 3D TLC NAND-микросхема второго поколения компании будет иметь ёмкость 768 Гбит (96 Гбайт).

SSD на базе 3D NAND

SSD на базе 3D NAND

Официально Micron пока не анонсировала микросхемы памяти 3D NAND второго поколения, а потому мы не обладаем всей полнотой информации о них. Тем не менее, компания раскрыла ключевые особенности чипов. Во-первых, на IEEE International Solid-State Circuits Conference в феврале Micron описала микросхему 3D TLC NAND ёмкостью 768 Гбит. Во-вторых, на 34-й конференции NASDAQ для инвесторов в июне финансовый директор компании заявил, что микросхемы 3D NAND второго поколения увеличат вдвое ёмкость по сравнению с чипами первого поколения (т. е. с 384 Гбит до 768 Гбит). В-третьих, в этом месяце Micron подтвердила наличие 64 активных слоёв в своей памяти 3D NAND второго поколения. В компании рассчитывают, что увеличение ёмкости микросхем позволит Micron снизить себестоимость производства одного бита NAND флеш-памяти на 30 процентов.

Двукратное увеличение ёмкости 3D TLC NAND-микросхем до 768 Гбит может позволить Micron использовать такие чипы в MLC-конфигурации ёмкостью 512 Гбит (впрочем, сама Micron об этом никогда не говорила). Между тем значительное увеличение ёмкости имеет как плюсы, так и минусы. С одной стороны, они дают возможность создавать устройства хранения данных большой ёмкости в миниатюрных форм-факторах (например, односторонний модуль M.2 ёмкостью 3 Тбайт). С другой стороны, SSD небольшого объёма будут иметь крайне низкую производительность из-за отсутствия параллелизма при чтении и записи. В случае с первым поколением 3D NAND компании Micron пришлось отказаться от накопителей ёмкостью 120/128 Гбайт именно из-за потенциально низкой производительности последних. Может случиться, что в следующем году компании придётся отказаться от выпуска уже накопителей класса 240/256 Гбайт. Кроме того, радикальное повышение ёмкости может сказаться на уровне выхода годных и цене.

SSD производства Micron/Crucial

SSD производства Micron/Crucial

В отличие от Micron, её конкуренты формально анонсировали свои 64-слойные 3D NAND-микросхемы. Так, Samsung объявила о планах начать производство своих 64-слойных V-NAND четвёртого поколения в последнем квартале 2016 года. Новые чипы будут иметь трёхбитовую ячейку (TLC), ёмкость 512 Гбит (по всей видимости, MLC буду выпускаться в виде отдельных микросхем или иметь меньшую ёмкость). Как только Samsung опробует V-NAND четвёртого поколения на разного рода картах памяти и других съёмных накопителях, она будет использована для производства SSD в 2017 году.

Что касается Toshiba/Western Digital, то они поставляют свою 64-слойную BiCS NAND третьего поколения некоторым своим клиентам уже несколько месяцев. Более того, первая продукция на базе данных микросхем (съёмные накопители) должна сойти с конвейера уже в четвёртом квартале. Toshiba и Western Digital весьма осторожно подходят к увеличению ёмкости своих чипов NAND, а потому изначально BiCS3 будет поставляться в конфигурации TLC с ёмкостью 256 Гбит, но в дальнейшем ёмкость будет увеличена до 512 Гбит. Следует отметить, что Western Digital считает возможным использовать 64-слойную BiCS 3D NAND в твердотельных накопителях. Таким образом, в 2017 году мир, наконец, увидит SSD на базе 3D NAND под торговыми марками Toshiba и Western Digital.

Источники:

Категория: HT | Просмотров: 168 | Добавил: f1m | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Форма входа

Календарь новостей
«  Декабрь 2016  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
   1234
567891011
12131415161718
19202122232425
262728293031

Поиск

Друзья сайта
    VeryFineSoft

    lwgame

    Myminysity

    soft inside

    google translate

    igromania

    Techsoft.do.am

    Game and Soft

    filmszone.net



        Статистика

        Онлайн всего: 1
        Гостей: 1
        Пользователей: 0

        [20.11.2008][HT]
        Марсоход Spirit подал голос (0)
        [26.09.2008][HT]
        Большой Брат следит за вами, на новом уровне (0)
        [16.11.2008][HT]
        Роботы против людей или люди против роботов? (0)
        [11.12.2008][HT]
        E-waves chip – эх шарлотанов тьма... (0)
        [23.11.2008][HT]
        Sony показала 240-Гц FED-дисплей в действии (0)
        [13.08.2008][Железо]
        Sony везет XEL-1 в Европу (0)
        [14.12.2008][HT]
        P-Touch 1010 и 2700VP: принтеры для печати наклеек от Brother (0)
        [10.12.2008][HT]
        3D-сканирование точно укажет на террориста в толпе (0)
        [02.12.2008][Фильмы]
        Война / War (2007) DVDRip (1)
        [21.11.2008][Soft]
        Left 4 Dead (3)

        Copyright MyCorp © 2017
        Сайт управляется системой uCoz