В прошедшем 2008 году впервые на мировом рынке появились наборы системной логики, поддерживающие работу с оперативной памятью стандарта DDR3, более производительного нежели его предшественник. Но как часто бывает в таких случаях, новая оперативка оставалась выбором лишь для энтузиастов, способных выложить не одну сотню долларов за DDR3-комплект. По этой же причине и компания AMD не спешит с выпуском собственных процессоров с интегрированным контроллером нового стандарта – позиционируя свои решения в сектор среднеценовых и недорогих систем разработчики не имеют возможности переходить на дорогую память для энтузиастов. Все должно измениться в лучшую сторону уже в наступившем 2009 года, когда цены на DDR3-память начнут резко снижаться.

Одной из причин, позволяющих уверенно говорить о скором снижении стоимости соответствующих устройств, является переход ведущих производителей интегральных DRAM-микросхем на более прецизионную технологию изготовления микрочипов. Здесь, в первую очередь, стоит отметить прогресс компаний Samsung и Elpida, которые обещают уже в текущем месяце начать серийное изготовление DDR3-памяти по 50-нм технологическому процессу, причем в данном случае будет использоваться уже иммерсионная литография, позволяющая уменьшить размеры элементов интегральной микросхемы при использовании излучения с прежней длиной волны – 193 нм. Еще одним технологическим нововведение становится переход на формирование медных проводящих элементов, вместо стандартных алюминиевых – это позволит разработчиками повысить производительность готовой продукции.

Для сравнения стоит привести следующие цифры. Переход на 50-нм технологию позволит снизить размер стандартной DRAM-микросхемы до отметки в 40 кв. мм, повышая тем самым объемы выпуска микрочипов с одной кремниевой пластины, а значит, и снижая стоимость изготовления полупроводниковых устройств. Что же касается производительности микросхем, то разработчики рассчитывают увеличить скоростные параметры оперативной памяти на 25%.

На основе указанной технологии японская компания Elpida планирует выпускать микрочипы информационной емкостью 1 Гбит (на первых порах, впоследствии будет налажен выпуск и более вместительных устройств), способные работать как от напряжения 1,5 Вольт (скорость передачи информации составляет 2,5 Гбит/с), так и в экономичном режиме при рабочем напряжении 1,2 Вольт (скорость передачи данных снижается до 1,6 Гбит/с). В свою очередь, компания Samsung планируется выпустить более емкие устройства, вмещающие до 2 Гбит данных, а производительность микросхем будет на 60% выше, нежели в случае DDR2-памяти.

Что же до остальных производителей интегральных микросхем оперативной памяти, то определенного прогресса добилась и компания Qimonda, завершившая подготовку технологии изготовления микрочипов по 46-нм техпроцессу. Однако DDR3-продукцию в серию чипмейкер рассчитывает запустить в середине 2009 года.

Всплеск спроса на интегральные микросхемы памяти стандарта DDR3 ожидается в связи с выходом на рынок новейших относительно недорогих центральных процессоров – в случае компании AMD это микрочипы с разъемом Socket AM3, а в случае компании Intel – процессоры Lynnfield. В результате, уже в 2009 году доля продаж DDR3-памяти на рынке DRAM-микросхем составит 29%, а уже в 2011 году эти цифры возрастут до отметки 72% - переход на DDR3 можно будет считать полностью завершившимся.