На конференции, посвященной новинкам схемотехники International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), группа исследователей из Массачусетского технологического института (Massachussets Institute of Technology, MIT) заявила о разработке КМОП-сенсора на технологии межкремниевых соединений (through-silicon vias, TSV). Чип спроектирован по принципу так называемой объемной «этажерочной» (3D stacking) архитектуры. Основанный на 0,35-микронной технологии сенсор с разрешением 1 Мп (1024х1024 пикселей) состоит из семи слоев. Два верхних слоя представляют собственно фоточувствительную матрицу, при этом поверхность первого слоя на 100% состоит из фотодиодов размером порядка 50-мкм. Второй, соответственно обеспечивает коммутацию сенсора с остальными слоями на которых разместились несколько АЦП, кодировщики адресов и данных, параллельный интерфейс I2C и две 12-битовые шины LVDS с пропускной способностью 512 Мбит/с. Высота этого многослойного чипа с контактами не превышает 0,5 мм.

Переход на архитектуру TSV – дальнейшее развитие «двумерной» технологии КМОП, которая, по данным исследований, позволит сократить энергопотребление на несколько порядков.