Вторник
21.11.2017, 14:51
Creatormaster.ru
Приветствую Вас Приблуда | RSS
Главная Регистрация Вход
Меню сайта

Разделы новостей
Soft [114]
различные проги
Железо [679]
Железные новости
Games [69]
Фильмы [15]
Из истории IT [17]
HT [5864]
Научные открытия и др.
Другое [417]
Кулеры [39]
Материнские платы [15]
мониторы [9]

Мини-чат

Thank you very much for your site and full of content
Is our site
https://keramatzade.com
https://keramatzade.com
https://keramatzade.com


Вот уж не думал, что я куплю 7970)




I'm newbie and a new user in this forum, but I hope to help and be helped by others. :)

Отличная статья, мне нравится достойног.



Главная » 2016 » Ноябрь » 18 » Qualcomm Snapdragon 835: 10-нм техпроцесс и Quick Charge 4.0
Qualcomm Snapdragon 835: 10-нм техпроцесс и Quick Charge 4.0
23:00

В рамках мероприятия Snapdragon Technology Summit компания Qualcomm официально анонсировала новую флагманскую однокристальную систему для мобильных устройств — Snapdragon 835, которую ранее в СМИ было принято называть Snapdragon 830.

Однако об особенностях архитектуры новой SoC, в частности, характеристиках её CPU и GPU, представители компании предпочли не говорить — эту информацию они приберегли на более поздний срок. Сейчас же о самом чипе было сказано лишь то, что он производится корпорацией Samsung по 10-нм техпроцессу FinFET. Эта технология позволяет на 30 % увеличить эффективность использования площади кристалла, на 27 % повысить производительность процессора и на 40 % снизить его энергопотребление.

Ключевой же темой пресс-конференции стала технология быстрой зарядки Quick Charge 4.0, ведь Snapdragon 835 — это первая система-на-чипе, в которой она будет применяться. По информации Qualcomm, наличие функции быстрой зарядки аккумулятора является сейчас одним из основных критериев при выборе нового смартфона для 61 % пользователей. При этом 26 % владельцев недовольны своим нынешним аппаратом из-за того, что он заряжается слишком долго, а 42 % жалуются на недостаточную продолжительность его автономной работы. Этими статистическими данными чипмейкер объясняет, почему так много внимания уделяет разрабатываемой им технологии Quick Charge.

5 часов за 5 минут

Прежде всего, Quick Charge 4.0 стал производительнее: как утверждают разработчики, от версии 3.0 новую технологию отличают на 20 % большая скорость и на 30 % увеличенная эффективность подзарядки, а в сравнении со стандартом Quick Charge 1.0 четвёртое поколение быстрее уже в 2,5 раза.

Чтобы с использованием Quick Charge 4.0 получить запас энергии, достаточный для работы среднестатистического смартфона в течение пяти часов, достаточно подключить его к блоку питания на пять минут. Если же оставить аппарат заряжаться на 15 минут, то заряд его аккумулятора пополнится наполовину. Однако важно понимать, что данные цифры являются неким эталоном, полученным Qualcomm в ходе испытаний, проведённых на устройстве с 2750 мА·ч батареей. Соответственно, чем больше будет ёмкость аккумулятора, тем дольше будет длиться процесс.

Безопасность превыше всего

Отдельную часть пресс-конференции в честь Quick Charge 4.0 компания Qualcomm посвятила вопросам безопасности. На эту тему ей было что рассказать, ведь технология предусматривает четырёхуровневую защиту от перегрева смартфона во время зарядки, которую дополняют три ступени токовой защиты и столько же уровней контроля напряжения. Кроме того, применяются определённые схемы защиты блока питания, батареи и кабелей. К слову о последних: смартфоны с Quick Charge 4.0 будут способны определять тип подключённого кабеля и его качество.

Отмечается также, что Quick Charge 4.0 совместим со стандартами USB Type-C и USB Power Delivery (USB-PD), кроме того, в нём применяется третья редакция алгоритма управления питанием INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), с помощью которого система автоматически подбирает наиболее оптимальный для конкретных температурных условий режим зарядки.

Ждать осталось недолго

В рамках прошедшей пресс-конференции Qualcomm намеренно сосредоточилась на Quick Charge 4.0, оставив за кадром технические подробности о самом чипе Snapdragon 835, в котором эта технология быстрой зарядки будет реализована впервые. Но ожидание официальных новостей о нём продлится недолго: чипмейкер обещал раскрыть карты уже в первых числах января. Что же касается устройств на базе Snapdragon 835, то они начнут поступать на рынок в первой половине 2017 года.

Источник:

Категория: HT | Просмотров: 35 | Добавил: f1m | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Форма входа

Календарь новостей
«  Ноябрь 2016  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
282930

Поиск

Друзья сайта
    VeryFineSoft

    lwgame

    Myminysity

    soft inside

    google translate

    igromania

    Techsoft.do.am

    Game and Soft

    filmszone.net



        Статистика

        Онлайн всего: 1
        Гостей: 1
        Пользователей: 0

        [13.12.2008][HT]
        32-нм (0)
        [20.09.2008][HT]
        Управление мобильником с помощью мысли: вариант NeuroSky (0)
        [11.11.2008]
        Боевой ИИ тестируют на играх (0)
        [04.08.2008][HT]
        Солнечные аккумуляторы смогут собирать энергию ночью (0)
        [21.10.2008][HT]
        Аппарат IBEX исследует границу Солнечной системы (1)
        [07.08.2008]
        Pioneer выпустит диск Blu-ray емкостью 500 Гб (0)
        [25.11.2008][Другое]
        Алкоголь и женщины :) (2)
        [15.11.2008][HT]
        NVIDIA Quadro FX 5800 в исполнении Leadtek (0)
        [25.11.2008][HT]
        RoverPC pro G7: GPS-коммуникатор с датчиком движения (0)
        [05.12.2008][Другое]
        Ликбез по видеокартам. Получаем необходимые знания (0)

        Copyright MyCorp © 2017
        Сайт управляется системой uCoz