Вторник
21.11.2017, 14:57
Creatormaster.ru
Приветствую Вас Приблуда | RSS
Главная Регистрация Вход
Меню сайта

Разделы новостей
Soft [114]
различные проги
Железо [679]
Железные новости
Games [69]
Фильмы [15]
Из истории IT [17]
HT [5864]
Научные открытия и др.
Другое [417]
Кулеры [39]
Материнские платы [15]
мониторы [9]

Мини-чат

Thank you very much for your site and full of content
Is our site
https://keramatzade.com
https://keramatzade.com
https://keramatzade.com


Вот уж не думал, что я куплю 7970)




I'm newbie and a new user in this forum, but I hope to help and be helped by others. :)

Отличная статья, мне нравится достойног.



Главная » 2016 » Октябрь » 17 » Samsung первой в отрасли начала выпуск «систем на чипе» по 10-нм технологии FinFET
Samsung первой в отрасли начала выпуск «систем на чипе» по 10-нм технологии FinFET
20:08

Компания Samsung сегодня объявила о начале массового производства «систем на чипе» по 10-нанометровой технологии FinFET. Утверждается, что это первые подобные изделия в отрасли.

Отмечается, что производственный процесс предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. Переход от 14-нанометровой технологии к нормам 10 нанометров позволил на 40 процентов снизить энергопотребление.

По сравнению с 14-нанометровой методикой возможно увеличение выпуска микрочипов на 30 процентов в расчёте на одну кремниевую пластину.

Кроме того, внедрение 10-нанометровой технологии позволит повысить быстродействие процессоров. В частности, говорится у возможности увеличения производительности на 27 процентов по сравнению с 14-нанометровыми решениями.

Ранее сообщалось, что именно Samsung будет производить по 10-нанометровой технологии процессоры Snapdragon 830 разработки Qualcomm. Этот чип будет наделён ядрами Kryo 200 и мощным графическим контроллером Adreno 540. Встроенный модем X16 LTE обеспечит максимальную скорость в 980 Мбит/с при загрузке данных. Говорится о поддержке памяти LPDDR4X.

Samsung отмечает, что первые мобильные устройства на основе процессоров, произведённых по 10-нанометровой технологии FinFET, появятся на рынке уже в начале следующего года. Ожидается, что изделия Snapdragon 830 станут «сердцем» флагманских смартфонов Samsung следующего поколения. 

По всей видимости, в перспективе новая производственная методика будет использоваться и при выпуске собственных мобильных процессоров Samsung — чипов семейства Exynos.

Источник:

Категория: HT | Просмотров: 61 | Добавил: f1m | Рейтинг: 0.0/0 |
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *:
Форма входа

Календарь новостей
«  Октябрь 2016  »
ПнВтСрЧтПтСбВс
     12
3456789
10111213141516
17181920212223
24252627282930
31

Поиск

Друзья сайта
    VeryFineSoft

    lwgame

    Myminysity

    soft inside

    google translate

    igromania

    Techsoft.do.am

    Game and Soft

    filmszone.net



        Статистика

        Онлайн всего: 1
        Гостей: 1
        Пользователей: 0

        [30.07.2008][Железо]
        Voodoo Envy против MacBook Air (0)
        [04.12.2008][HT]
        Полупроводники-2008, горячий Top20: от Intel до NVIDIA (0)
        [07.08.2008][HT]
        Цемент будет очищать воздух в Дании (0)
        [30.07.2008][HT]
        Вода на Марсе была слишком солёной для зарождения жизни (0)
        [29.11.2008][HT]
        LG выпустит 3D-телевизоры в 2009 году (0)
        [19.11.2008][HT]
        Пираты принялись за Blu-ray (0)
        [03.12.2008][HT]
        Сенсорное управление освещением в доме (0)
        [06.12.2008][HT]
        Цифровые наркотики: легальный кайф или хождение по краю? (0)
        [07.08.2008][HT]
        Робо-пуфик станет частью дома будущего (0)
        [10.10.2008][HT]
        Экзоскелет для желающих (0)

        Copyright MyCorp © 2017
        Сайт управляется системой uCoz