Постепенно оперативная память стандарта DDR3 переходит из разряда решений для сектора «топовых» вычислительных систем в разряд мейнстрим-продукта. Другими словами, растет спрос на модули памяти и, разумеется, интегральные микросхемы DDR3-памяти. Таким развитием событий не могут не воспользоваться производители DRAM-микрочипов для которых предоставляется отличный шанс увеличить объемы выпуска соответствующей продукции. Именно так поступает компания Samsung, заявившая о своем намерении повысить количество изготовляемых 50-нм микросхем оперативной памяти стандарта DDR3.

Главной целью южнокорейской компании является желание воспользоваться повышенным спросом на указанные полупроводниковые устройства, вызванным выпуском в продажу серверных процессоров серии Intel Xeon 5500. По мнению Samsung, память стандарта DDR3 позволит разработчикам серверов увеличить объемы установленной оперативной памяти до 192 гигабайт на машину, оптимизировать потребляемую вычислительными системами мощности, и удвоить производительность подсистемы памяти, по сравнению с системами на основе памяти стандарта DDR2.

К данному моменту около сорока 50-нм продуктов компании Samsung, речь идет только о DDR3-памяти, аттестованы для работы с платформой Xeon 5500. В этот список входят такие решения, как микросхемы оперативной памяти емкостью 1 и 2 гигабит, регистровые модули оперативной памяти емкостью 1, 2, 4, 8 и 16 гигабайт, небуферизованные DIMM-модули объемом 1, 2 и 4 гигабайт. Микросхемы памяти способны работать на скоростях 800, 1066 и 1333 Мбит/с, при этом показывая на 40% меньшее энергопотребление, нежели 60-нм микросхемы памяти стандарта DDR3.

Согласно прогнозам южнокорейского чипмейкера, оперативная DDR3-память станет мейнстрим-решением на рынке DRAM-решений уже к концу текущего года. Впрочем, некоторые эксперты не согласны с такой точкой зрения, отодвигая приход DDR3 в массы на следующий год.