Как известно, Intel собирается в следующем году представить свои первые чипы с Tri-Gate транзисторами, которые позволяют на 37 % увеличить производительность по сравнению с  планарными 32-нм структурами, уменьшив при этом энергопотребление на значение до 50%. Компания в мае сообщила, что массовое производство чипов с такими транзисторами начнётся в конце 2011 года.

Сообщается, что крупнейшая контрактная полупроводниковая кузница мира, Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), может начать производство первых чипов с применением подобной ... Читать дальше »