Компания G.SKILL International показала на форуме для разработчиков IDF 2013 инженерные образцы памяти DDR4.

По сравнению с DDR3, четвёртое поколение отличается более высокими производительностью, надёжностью, а также пониженным энергопотреблением. Спецификациями предусмотрена производительность от 1,6 до 3,2 гигатранзакций в секунду в расчёте на один контакт. При этом напряжение питания составляет 1,2 В. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 Гбайт/c (в случае максимальной эффективной частоты 4 266 МГц, определённой стандартом).

Кроме того, G.SKILL демонстрирует комплекты модулей DDR3-3000 суммарным объёмом 32 Гбайт (8х4 Гбайт) для требовательных пользователей, г ... Читать дальше »