Южнокорейская компания Samsung объявила о начале массового производства первой в отрасли флеш-памяти 3D V-NAND с объёмной структурой, имеющей 32 слоя для хранения данных.

Методика V-NAND, или Vertical NAND, предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить трёхмерную структуру микрочипа и в разы повысить количество хранимой информации на единицу площади. Надёжность хранения данных по сравнению с обычными «двухмерными» изделиями возрастает при этом в 2–10 раз.

Samsung отмечает, что в течение последних лет флеш-память создавалась на основе плоских однослойных структур с ячейками с плавающим затвором. Однако после освоения процесса производства с топологическим размером «10-нм масштаба» возникла необходимость в новых технологических решениях, поскольку инт ... Читать дальше »