Корпорация Samsung Electronics сообщила о том, что первой на рынке начала серийное производство флеш-памяти 3D V-NAND с трёхбитовой ячейкой. Микросхемы предназначены для твердотельных накопителей.

techreport.com

На производственные конвейеры встали 128-Гбит чипы второго поколения, состоящие из 32 вертикальных плотно расположенных слоёв. По словам производителя, новая память по сравнению с традиционной двухмерной MLC NAND, изготовленной на основе 10-нм класса, может похвастать вдвое увеличенным ресурсом и пониженным на 20 % потреблением энергии. За счёт записи в каждую ячейку 3 бит данных вместо одного или двух можно заметно увеличить плотность размещения информации.

В настоящее время Samsung уже поставляет парт ... Читать дальше »