Компания Micron Technology, по сообщениям из зарубежных источников, ведёт активные работы над третьим поколением перспективной технологии многослойной памяти, в терминах разработчика — Hybrid Memory Cube (HMC). Ожидается, что она будет представлена миру уже в 2016 году. Если у Micron получится нарастить пропускную способность вдвое по сравнению с теперешними 15 Гбит/с на вывод, то новое поколение HMC станет самой быстрой многослойной памятью в индустрии.
Технология Micron HMC использует систему специальных вертикальных соединений под названием TSV (Through-Silicon Via). Она служит для электрического соединения отдельных кристаллов DRAM между собой и с базовой логикой. В настоящее время компания предлагает своим клиентам «кубы» ёмкостью 2 и 4 Гбайт, в основе которых лежат кристаллы ёмкостью 4 Гбит. П
...
Читать дальше »