В феврале следующего года состоится интереснейшая конференция International Solid State Circuits Conference (ISSCC), посвященная достижениям разработчиков в области создания новейших интегральных микросхем самого различного назначения. Несмотря на то, что мероприятие состоится только спустя несколько месяцев, все лидеры уже подготовили собственные программы и доклады, с которыми их представители выступят на ISSCC.

Южнокорейская компания Samsung планирует рассказать о своей разработке в области микросхем оперативной памяти – ее сотрудниками созданы DRAM-устройства емкость 8 Гбит и 4 Гбит. Что интересно, изготовление указанных устройств осуществляется с применением такой техники, как вертикальное наложение, когда формируется трехмерная структура интегральной микросхемы, позволяя, например, значительно увеличить емкость устройств хранения информации. Согласно прогнозам, подобная технология, после ряда дополнительных исследований и разработок, станет одной из самых распространенных техник, используемых в производстве микрочипов различного назначения.

Аналогичная технология использована японской компанией Toshiba для создания фотомодулей на основе CMOS-сенсора, что позволяет добиться значительно снижения размеров и стоимости конечного продукта. NEC, в свою очередь, применяет технологию создания «трехмерных» микрочипов для изготовления статической памяти (SRAM), а высокоинтегрированных систем-на-чипе (SoC).

Что же касается крупнейшего мирового чипмейкера, компании Intel, то здесь нас ждет ряд докладов из области разработки и изготовления микропроцессоров нового поколения – будет рассказано о восьмиядерных решениях, состоящих из 2,3 млрд транзисторов, которые должны стать одними из самых сложнейших из ранее выпущенных интегральных микросхем. Кстати, уникальные восьмиядерные чипы должны появиться на мировом рынке в конце 2009 года. Расскажет Intel и о недавно выпущенных процессорах семейства Nehalem, а также прольет свет на грядущие серверные микросхемы Itanium.

Отдельно стоит сказать об интереснейшем докладе Intel, касающемся разработки восьмидесятиядерного микрочипа, в частности, будут затронуты перспективы использования оптических межсоединений для передачи данных между основными блоками интегральной микросхемы.