Компания Toshiba заявила о разработке новой технологии создания слоев кремния с включениями примесей, которая, по ее словам, позволит решить ключевые проблемы, связанные с использованием недорогой комплементарной логики на транзисторах металл-оксид-полупроводник (КМОП, CMOS) для производства чипов по 20-нм нормам. Технология была представлена в ходе Международной встрече по электронным устройствам в Балтиморе – одной из крупнейших мировых конференций, посвященных полупроводникам.

Новая технология предполагает формирование трех слоев в канале: эпитаксиального кремния, кремния, легированного углеродом (Si:C), и слоя Si:C, легированного бором. При этом верхний слой эпитаксиального кремния выполняет роль провод ... Читать дальше »

Специалисты из подразделения материаловедения лаборатории и Университета Аргона совместно с коллегами из чикагской Медицинской школы Притцкера в ходе своих исследований обнаружили, что наноструктурные магнитные материалы открывают дорогу для зондирования клеточных механизмов, активации механочувствительных ионных каналов, и, в конечном итоге – к расширению арсенала средств противораковой терапии.

В отчете об исследовании описано взаимодействие живых клеток с полученными путем литографии микродисками (диаметром 1 микрон и толщиной 60 нм) из никель-железного сплава (пермаллоя), находящимися в спино-вихревом (spin-vortex) состоянии. При приложении внешнего переменного магнитного поля такие микродиски начинают вибрировать, передавая механические колебания клетке ... Читать дальше »