Компания SK hynix разработала первый в мире модуль оперативной памяти DDR4 ёмкостью 128 Гбайт, что в два раза больше по сравнению с изделиями, которые южнокорейский производитель продаёт на данный момент. Новинка предназначена для серверных систем.
Модуль ОЗУ построен на 8-гигабитных чипах DDR4, изготовленных по нормам 20 нм с использованием технологии межслойных соединений (Through-Silicon Via, TSV). Изделие работает при напряжении 1,2 В, тогда как у продуктов DDR3 показатель составляет 1,35 В.
Представленная «оперативка» поддерживает частоту 2133 МГц по 64-битному интерфейсу ввода/вывода и обладает пропускной способностью на уровне 17 Гбайт/с.
SK Hynix планирует приступить к серийному производству 128-гигабайтных модулей памяти в первой половине 2015 года.
Помимо SK hynix, разработкой п
...
Читать дальше »