Энергонезависимая память типа NAND-флеш имеет одно малоприятное свойство — сравнительно низкую устойчивость к износу. По мере снижения топологических норм производства износ становится быстрее. Положение могли бы исправить альтернативные типы энергонезависимой памяти — PRAM (фазовая) или MRAM (магниторезистивная), но у этих типов памяти другая проблема — слишком низкая плотность записи. Поэтому единственным реальным кандидатом на роль NAND-флеш остаётся резистивная память RRAM (ReRAM). В исполнении компании HP такая память носит коммерческое название мемристор. Увы, выпуск RRAM всё откладывается и откладывается.

В качестве активного вещества дл ... Читать дальше »

Категория: HT | Просмотров: 662 | Добавил: f1m | Дата: 25.12.2014 | Комментарии (0)