|
Главная » 2014 » Декабрь » 25
Энергонезависимая память типа NAND-флеш имеет одно малоприятное свойство — сравнительно низкую устойчивость к износу. По мере снижения топологических норм производства износ становится быстрее. Положение могли бы исправить альтернативные типы энергонезависимой памяти — PRAM (фазовая) или MRAM (магниторезистивная), но у этих типов памяти другая проблема — слишком низкая плотность записи. Поэтому единственным реальным кандидатом на роль NAND-флеш остаётся резистивная память RRAM (ReRAM). В исполнении компании HP такая память носит коммерческое название мемристор. Увы, выпуск RRAM всё откладывается и откладывается.
Категория: HT |
Просмотров: 613 |
Добавил: f1m |
Дата: 25.12.2014
|
|
|
|
|
Статистика |
Онлайн всего: 1 Гостей: 1 Пользователей: 0 |
|