Компания Samsung Electronics объявила о начале коммерческого производства первых в мире многослойных чипов флеш-памяти TLC NAND ёмкостью 256 Гбит. Новые, более ёмкие микросхемы 3D V-NAND помогут компании сделать твердотельные накопители и прочие устройства, использующие флеш-память, более доступными для покупателя, а значит, более популярными, что, несомненно, должно положительно отразиться на рыночной доле Samsung в этом секторе.

Новые чипы ёмкостью 256 Гбит базируются на уже проверенной компанией архитектуре 3D Charge Trap (CTF), в которой ячейки объединены вертикально и формируют 48-слойный массив, сквозь который проходит 1,8 миллиарда соединительных каналов. Отверстия для них формируются специальным методом сухого травления (etching). Каждая микросхема состоит из более чем 85,3 миллиарда ячеек и способна хранить ... Читать дальше »