Первые коммерческие твердотельные накопители, основанные на недавно анонсированной энергонезависимой памяти 3D XPoint, ещё не появилась на рынке, но компании Intel и Micron Technology уже работают над вторым поколением памяти данного типа. Кроме того, Micron разрабатывает полностью новую технологию, которая обещает сократить разницу в производительности между динамической памятью с произвольным доступом (dynamic random access memory, DRAM) и энергонезависимой памятью.
Корпорация Micron Technology рассказала на Intel Developer Forum ранее в этом месяце, что ведёт разработку второго поколения 3D XPoint, второго поколения многослойной трёхмерной NAND флеш-памяти (3D NAND), а также некоего принципиально нового типа памяти, подробности о котором не раскрываются. Micron сотрудничает с Intel в создании 3D XPoint и 3D NAND, но не ясно, работают ли компании вместе и над новой технологией, известной как New Memory B Gen 1 (новая память «Б» первого поколения).
Категория:
HT
|
Просмотров:
330
|
Добавил:
f1m
|
Дата:
29.08.2015
|