Современная флэш-память практические не отстает по темпам развития от интегральных микросхем, например, центральных процессоров – постоянно осуществляется переход на новые технологии изготовления, позволяя создать все более миниатюрные устройства, постоянно снижается стоимость чипов, увеличивается информационная емкость накопителей и пр. Однако развитие флэш-памяти имеет свои ограничения, и согласно оценкам специалистов, к 2012 году будет достигнут предел миниатюризации микросхем – в качестве верхней планки называется 20-нм техпроцесс.

Что же готовят ученые и исследователи в качестве замены привычной сегодня флэш-памяти? Среди возможных кандидатов на эту роль называют память на основе фазовых переходов, так называемая race-track-память, впрочем, есть и очередной новичок, который может сменить «флэш» на троне наиболее популярных устройств хранения информации. Речь пойдет о памяти на основе графена – тонких «листов» углерода толщиной всего лишь в несколько атомов.

На данный момент исследователи «научились» формировать листы углеродные структуры, толщина которых составляет десять атомных слоев, и подобные структура размещаются на кремниевой подложке. Отметим, что осаждение атомов углерода осуществляется из газовой фазы. Как сообщают разработчики, профессор Джеймс Тур (James Tour) из университета Райса и его коллеги, эксперименты стартовали более года назад, однако первую конкретную информацию о проделанной работе исследователи опубликовали совсем недавно.

Среди основных достоинств указанной технологии значится не только возможность создания крайне миниатюрных ячеек памяти, но и крайне незначительные токи, проходящие через ячейку памяти в ее «выключенном» состоянии. Это позволяет создавать ячейки памяти, способные хранить значительное количество информации – сейчас разработчики смогли создать флэш-память на основе многоуровневых ячеек, способные хранить до трех бит информации. В будущем, можно будет создавать гораздо более вместительные устройства, что повысит емкость накопителей будущего поколения.

Впрочем, и остальные характеристики на уровне: возможность достижения высочайших скоростей доступа к память, до 1 или 10 наносекунд, что сравнимо с аналогичными показателями для SRAM-памяти, и даже превосходит их; возможность работы в значительно более широком диапазоне температур (до двухсот градусов по шкале Цельсия); способность работы в жестких условиях под воздействием радиации. Последний факт особенно важен в случае аэрокосмической электроники, где устройства должны выдерживать значительные нагрузки – приходится применять сложные системы защиты, которые в случае применения новейшей памяти можно будет упростить.