В данный момент чипы памяти уже можно производить по 30-нанометровому
техпроцессу, логические микросхемы – по 42-нанометровому. Компания
Toshiba
решила разрушить стереотипы и анонсировала германиевый полевой
транзистор на основе 16-нанометрового техпроцесса. Это примерно в два
раза меньше, чем самая тонкая технология сегодняшнего дня. Для
достижения задуманного Toshiba собирается использовать германид
стронция – германий обеспечивает более высокий потенциал по сравнению с
используемым ныне кремнием, однако реализация технологии доставляет
слишком много хлопот. Заметим, производителям придется побороть все
трудности в недалеком будущем – кремний уже близок к пределу своих
возможностей. Toshiba надеется представить документацию по
16-нанометровому техпроцессу на следующей неделе.